三星推出了采用第六代3bit V-NAND SSD颗粒的SSD，再次实现突破，此次首发将针对OEM供应，消费级产品预计在今年年底前推出。 

第六代V-NAND颗粒比第五代在密度上，增加约40%，采用100+层堆叠设计，实际上可由136层导电模堆叠，采用通道孔蚀刻技术，从而实现俊园的3D 电荷CTF单元。 

性能方面，和第五代相比，提升10%，能耗降低15%，单芯容量高达256Gb，读写延迟分别为45μs微秒和450μs微秒。 

除此之外，三星表示将扩大韩国Pyeongtaek园区的产能计划，推出单芯512Gb容量颗粒的3bit V-NAND SSD和eUFS，从而满足全球用户需求。